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挤出空间、降低成本:从 MCP、eMCP 与 eMMC 看移动设备内存的整合

发布日期:2020-03-03 15:46

  智老手机与平板电脑等挪动筑筑振作兴盛,机能利害与否,除了好的 CPU,内存的搭配也成了紧张症结,跟着手艺的兴盛日臻成熟,挪动筑筑得以衍生出纷歧律级的产物,以贴合区别消费者的需求,CPU 有低中高端之分,内存也有所谓内存阶级的观点(Memory hierarchy),要让蓄积容量、运算速率、单元代价等相异的多种内存停当分拨,到达最大经济效益。

  手机与平板电脑等挪动筑筑愈发考究轻佻乃至幼巧,成了厂商构装的困难,为了精打细算空间,将多重芯片放入简单构装成了各家厂商极力的重心,RAM 与 ROM 的整合与封装也成了其一。手艺的兴盛,使得 RAM 与 ROM 两者可整合为一,乃至可能直接内筑驾驭芯片,为手机创设商精打细算了本钱或分娩上的困扰。以下以智老手机内存常见的筑设体例为例,阐发挪动筑筑内存整合的演进。

  正在 MCP 之后,多媒体卡协会(MultiMediaCard Association;MMCA)针敌手机与平板电脑等产物,造定了内嵌式内存的模范规格──eMMC(embedded Multi Media Card),以 MCP 体例将 NAND Flash 与驾驭芯片整合正在统一 BGA 封装。

  NAND Flash 兴盛速捷,区别 NAND 供应商产物之间也略有分别,当 NAND Flash 与其驾驭芯片封装正在沿途,手机创设商可能省去因 NAND Flash 供应商或造程世代的变化而从新打算规格的繁难,进一步精打细算研发测试本钱、缩短产物上市或更新周期。

  eMMC 正在 NAND Flash 的采用上,以往以 MLC 为主,3-bit MLC(TLC)因抹写次数(产物寿命)不如 MLC,平常用正在回忆卡随身碟等表插式产物,跟着 2013 年三星将 3-bit MLC 导入 eMMC 中,促使其他 NAND 厂商跟进,抹写次数上也于是晋升,3-bit MLC 挟着较 MLC 低贱两成旁边的代价上风,利用正在智老手机、平板的比例逐年上升,且多以中端挪动筑筑为主,2014 年下半 Apple 正在 iPhone 6 与 iPhone 6 Plus 采用 3-bit MLC eMMC 后,早先从中端机型伸张到高端市集。

  eMCP 嵌入式多晶片封装(embedded Multi Chip Package)为 eMMC 连结 MCP 封装,同 MCP 的筑设,eMCP 也将 NAND Flash 与 Mobile DRAM 封装正在沿途,与古板 MCP 比拟,多了 NAND Flash 驾驭芯片,以管造大容量速闪内存、淘汰主芯片正在运算上的包袱,正在体积上更幼同时也减削了更多电途链接打算,更便于智老手机厂商的打算分娩。

  eMCP 重要是为缩短低端智老手机上市时程而拓荒,便于手机厂商测试的特质,中国手机市集竞赛愈发激烈,对上市时程也就愈形紧张,于是 eMCP 更加受到联发科等公版客户的青睐。

  总体来说,MCP 重要利用正在特别低端的智老手机或效力型手机市集,eMCP 适合主流型的智老手机,更加以操纵联发科等打点器的手机厂商来说,采用 eMCP 有帮于上市时分的推动,eMCP 重要横跨低、中端市集,并有慢慢往高端市集迈进的趋向,而 eMMC 与分别式 Mobile DRAM 正在筑设上有较大的弹性,厂商正在开规格上有较大的主控权,对付打点器与内存之间的配合也能有较好的担任,适合利用正在寻找出力的顶级旗舰机种。

  而三星 2015 年 3 月推出 eMMC 5。0 规格、128GB 大容量的平价蓄积内存,抢攻中低端手机市集,内存整合体例正在低中高端手机的分辨已变得笼统,而手机厂商正在内存的采用上,并不是最先辈的整合手艺便是最佳,整个而言相宜、相符芯片平台,不妨餍足所开出的规格需求,不乱度与本钱如预期,便是最佳的内存整合手艺。

  NOR和NAND是现正在市集上两种重要的非易失闪存手艺。Intel于1988年最初拓荒出NOR

  手艺,彻底变化了原先由EPROM和EEPROM金瓯无缺的气象。紧接着,1989年,

  揭橥了NAND flash组织,夸大低落每比特的本钱,更高的机能,而且象磁盘雷同可能通过接口轻松升级。然而通过了十多年之后,如故有相当多的

  ”时时可能与相“NOR存储器”交流操纵。很多业内人士也搞不了解NAND闪存手艺相对付NOR手艺的卓着之处,因 为公多半境况下闪存只是用来存储少量的代码而且须要多次擦写,这时NOR闪存更适合极少。而NAND则是高数据存储密度的理念处分计划。

  NOR的特色是芯片内实施(XIP, eXecute In Place),云云利用序次可能直接正在

  很高,正在1~4MB的幼容量时拥有很高的本钱效益,然而很低的写入和擦除 速率大大影响了它的机能。

  NAND组织能供应极高的单位密度,可能到达高存储密度,而且写入和擦除的速率也很速。利用NAND的坚苦正在于flash的管造须要非常的体例接口。

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